An dësem Pabeier ginn d'Feelermodi an d'Feelmechanismus vun elektronesche Komponenten studéiert an hir sensibel Ëmfeld ginn uginn fir e puer Referenz fir den Design vun elektronesche Produkter ze bidden.
1. Typesch Komponent Echec Modus
Seriennummer
Elektronesch Komponent Numm
Ëmfeld-Zesummenhang Echec Modi
Ëmweltstress
1. Elektromechanesch Komponenten
Vibratioun verursacht Müdegkeetsbriechung vu Spule a Losen vu Kabelen.
Vibratioun, Schock
2. Semiconductor Mikrowellengeräter
Héich Temperatur an Temperaturschock féieren zu Delaminatioun op der Interface tëscht dem Packagematerial an dem Chip, an tëscht dem Packagematerial an dem Chiphalter-Interface vum Plastiksversiegelte Mikrowellmonolith.
Héich Temperatur, Temperaturschock
3. Hybrid integréiert Kreesleef
Schock féiert zu Keramik Substrat Rëss, Temperatur Schock féiert zu Kondensator Enn Elektroden Rëss, an Temperatur Cycling féiert zu solder Echec.
Schock, Temperatur Zyklus
4. Diskret Apparater an Integréiert Circuits
Thermesch Decompte, Chip-Lötfehler, banneschten Bleibindungsfehler, Schock féiert zu Passivatiounsschichtbruch.
Héich Temperatur, Schock, Schwéngung
5. Resistive Komponenten
Core Substrat Broch, Resistive Film Broch, Bleibroch
Schock, héich an niddreg Temperatur
6. Bord Niveau Circuit
Geknackte Lötverbindungen, gebrach Kupferlächer.
Héich Temperatur
7. Elektresch Vakuum
Middegkeet Fraktur vun waarm Drot.
Vibratioun
2, typesch Komponent Echec Mechanismus Analyse
Echec Modus vun elektronesche Komponente ass net eng eenzeg, nëmmen e representativen Deel vun der typesch Komponente sensibel Ëmwelt Toleranz Limite Analyse, fir eng méi allgemeng Conclusioun ze kréien.
2.1 Elektromechanesch Komponenten
Typesch elektromechanesch Komponenten enthalen elektresch Stecker, Relais, asw.. D'Ausfallmodi ginn an der Déift analyséiert mat der Struktur vun den zwou Zorte vu Komponenten respektiv.
1) Elektresch Stecker
Elektresch Connector vun der Schuel, Isolator a Kontaktkierper vun den dräi Basisunitéiten, den Ausfallmodus gëtt am Kontaktfehler, Isolatiounsfehler a mechanesche Versoen vun den dräi Forme vun Echec zesummegefaasst.D'Haaptform vum Ausfall vum elektresche Stecker fir de Kontaktfehler, den Ausfall vu senger Leeschtung: Kontakt op der momentaner Paus a Kontaktresistenz erhéicht.Fir elektresch Stecker, wéinst der Existenz vu Kontaktresistenz a Materialleiterresistenz, wann et Stroum duerch den elektresche Stecker gëtt, wäert d'Kontaktresistenz an d'Metallmaterialleiterresistenz Joule Hëtzt generéieren, Joule Hëtzt wäert d'Hëtzt erhéijen, wat zu enger Erhéijung vun der Temperatur vum Kontaktpunkt, ze héich Kontaktpunkttemperatur wäert d'Kontaktfläch vum Metall erweichen, schmëlzen oder souguer kachen, awer och d'Kontaktresistenz erhéijen, sou datt de Kontaktfehler ausléist..An der Roll vun héich Temperatur Ëmwelt, wäert de Kontakt Deeler och Kreep Phänomen schéngen, mécht de Kontakt Drock tëscht de Kontakt Deeler erofgoen.Wann de Kontaktdrock zu engem gewësse Mooss reduzéiert gëtt, wäert d'Kontaktresistenz staark eropgoen, a schlussendlech e schlechten elektresche Kontakt verursaachen, wat zu Kontaktfehler resultéiert.
Op der anerer Säit gëtt den elektresche Stecker an der Lagerung, beim Transport an der Aarbecht ënner enger Vielfalt vu Schwéngungslasten an Impaktkräften ënnerworf, wann déi extern Schwéngungsbelaaschtungsfrequenz an elektresch Stecker no bei der inherenter Frequenz den elektresche Stecker Resonanz maachen Phänomen, wouduerch d'Lück tëscht de Kontaktstécker méi grouss ginn, d'Lück erhéicht zu engem gewësse Mooss, de Kontaktdrock wäert direkt verschwannen, wat zu engem elektresche Kontakt "instant break" resultéiert.An der Schwéngung, Schockbelaaschtung wäert den elektresche Stecker intern Stress generéieren, wann de Stress d'Ausbezuelkraaft vum Material iwwerschreift, wäert de Materialschued a Fraktur maachen;an der Roll vun dëser laangfristeg Stress, wäert d'Material och Middegkeet Schued geschéien, a schlussendlech Ursaach Echec.
2) Relais
Elektromagnetesch Relais besteet normalerweis aus Kären, Spielen, Armaturen, Kontakter, Riet a sou weider.Soulaang eng gewësse Spannung op béid Enden vun der Spule bäigefüügt gëtt, fléisst e gewësse Stroum an der Spule, sou datt en elektromagnéiteschen Effekt produzéiert gëtt, wäert d'Armatur d'elektromagnetesch Kraaft vun der Attraktioun iwwerwannen fir zréck an de Fréijoerszuch an de Kär ze kommen, wat am Tour dréit d'Armatur bewegen Kontakter a statesch Kontakter (normalerweis oppen Kontakter) zougemaach.Wann d'Spule ofgeschalt gëtt, verschwënnt och d'elektromagnetesch Saugkraaft, d'Armatur gëtt zréck an d'Original Positioun ënner der Reaktiounskraaft vum Fréijoer, sou datt de bewegende Kontakt an den ursprénglechen statesche Kontakt (normalerweis zouenen Kontakt) Saug.Dës Saug a Verëffentlechung, sou datt den Zweck vun der Leedung erreecht gëtt an am Circuit ofgeschnidden ass.
D'Haaptrei Modi vun allgemeng Echec vun elektromagnetesche Relais sinn: Relais normalerweis oppen, Relais normalerweis zougemaach, Relais dynamesch Fréijoer Aktioun entsprécht net den Ufuerderunge, Kontakt Zoumaache no der Relais elektresch Parameteren iwwerschratt der Aarm.Wéinst dem Mangel un elektromagnetesche Relaisproduktiounsprozess, vill elektromagnetesche Relaisfehler am Produktiounsprozess fir d'Qualitéit vu verstoppte Gefore ze leeën, sou wéi d'mechanesch Stressreliefperiod ze kuerz ass, wat zu enger mechanescher Struktur no der Deformatioun vum Schimmeldeel resultéiert, d'Reschtentfernung ass net erschöpft. doraus am PIND Test gescheitert oder souguer Echec, Fabréck Testen a Gebrauch vun Duerchmusterung ass net strikt, sou datt d'Feele vun der Apparat am Gebrauch, etc.Am Design vun Ausrüstung déi Relais enthält, ass et néideg ze fokusséieren op d'Auswierkunge vun der Ëmfeld Adaptabilitéit ze berücksichtegen.
2.2 Semiconductor Mikrowell Komponente
Mikrowellen Hallefleitgeräter si Komponenten aus Ge, Si an III ~ V zesummegesate Hallefleitmaterialien déi an der Mikrowelleband funktionnéieren.Si ginn an elektronesch Ausrüstung wéi Radar, elektronesch Krichssystemer a Mikrowellekommunikatiounssystemer benotzt.Mikrowellen diskret Apparat Verpakung zousätzlech fir elektresch Verbindungen a mechanesche a chemesche Schutz fir de Kär a Pins ze liwweren, sollt den Design an d'Auswiel vum Gehäuse och den Impakt vun de Wunnengen parasitäre Parameteren op d'Mikrowellentransmissionseigenschaften vum Apparat berücksichtegen.D'Mikrowellgehäuse ass och en Deel vum Circuit, dee selwer e komplette Input- an Output Circuit ass.Dofir sollt d'Form an d'Struktur vum Logement, Gréisst, dielektrescht Material, Dirigentkonfiguratioun, asw.Dës Faktore bestëmmen Parameteren wéi Kapazitéit, elektresch Leadresistenz, charakteristesch Impedanz, an Dirigent an dielektresch Verloschter vum Röhregehäuse.
Ëmweltrelevant Ausfallmodi a Mechanismen vu Mikrowellen-Halleiterkomponenten enthalen haaptsächlech Gatemetall ënnerzegoen an Degradatioun vu resistive Properties.Gate Metall ënnerzegoen ass wéinst der thermesch beschleunegt Diffusioun vum Gate Metal (Au) an GaAs, sou datt dësen Echec Mechanismus geschitt haaptsächlech während beschleunegt Liewen Tester oder extrem héich Temperatur Operatioun.Den Taux vun der Gatemetall (Au) Diffusioun an GaAs ass eng Funktioun vum Diffusiounskoeffizient vum Gatemetallmaterial, Temperatur a Materialkonzentratiounsgradient.Fir eng perfekt Gitterstruktur gëtt d'Apparatleistung net vun engem ganz luesen Diffusiounsquote bei normalen Operatiounstemperaturen beaflosst, awer d'Diffusiounsquote kann bedeitend sinn wann d'Partikelgrenze grouss sinn oder et vill Uewerflächefehler sinn.Resistors sinn allgemeng am Mikrowell monolithic integréiert Kreesleef fir Feedback Kreesleef benotzt, Astellung der Bias Punkt vun aktiv Apparater, Isolatioun, Muecht Synthes oder d'Enn vun Kopplung, ginn et zwou Strukturen vun Resistenz: Metal Film Resistenz (TaN, NiCr) a liicht dotéiert GaAs dënn Layer Resistenz.Tester weisen datt d'Degradatioun vun der NiCr Resistenz duerch Fiichtegkeet den Haaptmechanismus vu sengem Versoen ass.
2.3 Hybrid integréiert Kreesleef
Traditionell Hybrid integréiert Kreesleef, no der Substrat Uewerfläch vun der décke Film Guide Band, dënn Film Guide Band Prozess ass an zwou Kategorien ënnerdeelt décke Film Hybrid integréiert Kreesleef an dënn Film Hybrid integréiert Kreesleef: bestëmmte klenge gedréckte Circuit Verwaltungsrot (PCB) Circuit, Wéinst dem gedréckte Circuit ass a Form vu Film an der flaach Bordfläch fir e konduktivt Muster ze bilden, och als Hybrid integréiert Kreesleef klasséiert.Mat der Entstoe vu Multi-Chip Komponenten huet dësen fortgeschrattenen Hybrid integréierte Circuit, seng eenzegaartege Substrat Multi-Layer Wiring Struktur an duerch-Lach Prozesstechnologie, d'Komponenten zu engem hybride integréierte Circuit gemaach an enger High-Density Interconnect Struktur synonym mam Substrat benotzt. a Multi-Chip Komponenten an enthalen: Dënnfilm Multilayer, décke Film Multilayer, Héichtemperatur co-fired, Low-Temperatur co-fired, Silicon-baséiert, PCB Multilayer Substrat, etc.
Hybrid integréiert Circuit Ëmweltstress Echec Modi enthalen haaptsächlech elektresch Open Circuit Echec verursaacht duerch Substrat Rëss a Schweess Echec tëscht Komponente an décke Film Dirigenten, Komponente an dënn Film Dirigenten, Substrat a Wunneng.Mechanesch Auswierkunge vum Produktfall, thermesche Schock vun der Lötoperatioun, zousätzlech Belaaschtung verursaacht duerch Ongläichheet vum Substratverbueden, Säitespannspannung vum thermesche Mëssmatch tëscht Substrat a Metallgehäuse a Bindungsmaterial, mechanesche Stress oder thermesche Stress Konzentratioun verursaacht duerch intern Defekte vum Substrat, potenziell Schued verursaacht duerch Substratbohrung a Substratschneid lokal Mikro Rëss, féieren schlussendlech zu externe mechanesche Stress méi grouss wéi déi inherent mechanesch Kraaft vum Keramik Substrat datt D'Resultat ass Echec.
Solderstrukture sinn ufälleg fir widderholl Temperatur-Cycling-Belaaschtungen, wat zu enger thermescher Middegkeet vun der Solderschicht féieren kann, wat zu enger reduzéierter Bindungsstäerkt a verstäerkter thermescher Resistenz resultéiert.Fir Zinn-baséiert Klass vun ductile solder, d'Roll vun Temperatur cyclic Stress féiert zu thermesch Middegkeet vun der solder Schicht ass wéinst der thermesch Expansioun Koeffizient vun den zwee Strukturen verbonne vun der solder inkonsistent ass, ass d'Löt Verschiebung Deformatioun oder Schéier Deformatioun, no widderholl, der solder Layer mat Middegkeet knacken Expansioun an Extensioun, schlussendlech Féierung Middegkeet Echec vun der solder Layer.
2.4 Diskret Apparater an integréiert Kreesleef
Semiconductor diskret Geräter ginn an Dioden, bipolare Transistoren, MOS Feldeffektröhren, Thyristoren an isoléiert Gate bipolare Transistoren opgedeelt duerch breet Kategorien.Integréiert Kreesleef hunn eng breet Palette vun Uwendungen a kënnen an dräi Kategorien opgedeelt ginn no hire Funktiounen, nämlech digital integréiert Kreesleef, Analog integréiert Kreesleef a gemëscht digital-analog integréiert Kreesleef.
1) Diskret Apparater
Diskret Geräter si vu verschiddenen Typen an hunn hir eege Spezifizitéit wéinst hire verschiddene Funktiounen a Prozesser, mat wesentlechen Ënnerscheeder an der Ausfallleistung.Wéi och ëmmer, wéi d'Basisgeräter geformt duerch Hallefleitprozesser, ginn et gewësse Ähnlechkeeten an hirer Ausfallphysik.D'Haaptfehler am Zesummenhang mat der externer Mechanik an der natierlecher Ëmfeld sinn thermesch Decompte, dynamesch Lawin, Chip-Lötfehler an intern Leadverbindungsfehler.
Thermesch Decompte: Thermesch Decompte oder Sekundär Decompte ass den Haaptfehlermechanismus deen Halbleiter Kraaftkomponenten beaflosst, an de gréissten Deel vum Schued beim Gebrauch ass mam sekundären Decompte Phänomen verbonnen.Sekundär Decompte ass a Forward Bias Secondary Decompte a Reverse Bias sekundär Decompte opgedeelt.Déi fréier ass haaptsächlech mat den eegene thermesche Properties vum Apparat verbonnen, sou wéi d'Dopingkonzentratioun vum Apparat, intrinsesch Konzentratioun, asw., während déi lescht mat der Lawinemultiplikatioun vun Träger an der Raumladungsregioun (wéi no beim Sammler) Zesummenhang ass. vun deenen sinn ëmmer vun der Konzentratioun vun aktuell am Apparat begleet.Bei der Uwendung vun esou Komponenten sollt besonnesch Opmierksamkeet op den thermesche Schutz an d'Hëtztvergëftung bezuelt ginn.
Dynamesch Lawinen: Wärend dynamescher Ausschaltung wéinst externen oder internen Kräften, verursaacht de Stroumkontrolléierte Kollisionsioniséierungsphenomen, deen am Apparat beaflosst vun der fräier Trägerkonzentratioun, eng dynamesch Lawin, déi a bipolare Geräter, Dioden an IGBTs optriede kann.
Chip solder Echec: Den Haaptgrond ass, datt de Chip an der solder verschidde Materialien mat verschiddene Koeffizienten vun thermesch Expansioun sinn, sou ass et eng thermesch Mëssverständnis bei héijen Temperaturen.Zousätzlech erhéicht d'Präsenz vu Solder-Voiden d'thermesch Resistenz vum Apparat, mécht d'Wärmevergëftung méi schlëmm an d'Bildung vu waarme Flecken an der lokaler Géigend, d'Erhéijung vun der Kräizungtemperatur an d'Temperaturbezunnen Feeler wéi Elektromigratioun verursaacht.
Innere Bläiverbindungsfehler: haaptsächlech Korrosiounsfehler am Bindungspunkt, ausgeléist duerch d'Korrosioun vum Aluminium verursaacht duerch d'Aktioun vu Waasserdamp, Chlorelementer, asw.Middegkeet Fraktur vun Aluminiumbindungsleitungen verursaacht duerch Temperaturzyklus oder Schwéngung.Den IGBT am Modul Package ass grouss a Gréisst, a wann et op eng falsch Manéier installéiert ass, ass et ganz einfach Stress Konzentratioun ze verursaachen, wat zu Middegkeet Fraktur vun den internen Leads vum Modul resultéiert.
2) Integréiert Circuit
Den Ausfallmechanismus vun integréierte Circuiten an d'Benotzung vun der Ëmwelt huet eng grouss Relatioun, Feuchtigkeit an engem fiichten Ëmfeld, Schued generéiert duerch statesch Elektrizitéit oder elektresch Iwwerschwemmungen, ze héich Notzung vum Text an d'Benotzung vun integréierte Circuiten an engem Stralungsëmfeld ouni Stralung Resistenzverstäerkung kann och den Ausfall vum Apparat verursaachen.
Interface Effekter am Zesummenhang mat Aluminium: An den elektroneschen Apparater mat Silizium-baséiert Materialien, SiO2 Schicht als dielektresch Film gëtt wäit benotzt, an Aluminium gëtt dacks als Material fir Verbindungslinnen benotzt, SiO2 an Aluminium bei héijen Temperaturen wäert eng chemesch Reaktioun sinn, sou datt d'Aluminiumschicht dënn gëtt, wann d'SiO2 Schicht duerch Reaktiounsverbrauch ofgeschaaft gëtt, gëtt direkten Kontakt tëscht Aluminium a Silizium.Zousätzlech, wäert d'Gold Bläi Drot an Al interconnection Linn oder Al Bindung Drot an der Bindung vun der Gold-plated Bläi Drot vun der Rouer Réibau, Au-Al Interface Kontakt produzéiere.Wéinst dem ënnerschiddleche chemesche Potenzial vun dësen zwee Metaller, no laangfristeg Benotzung oder Lagerung bei héijen Temperaturen iwwer 200 ℃ wäert eng Vielfalt vun intermetallesche Verbindungen produzéieren, a wéinst hire Gitterkonstanten an thermesch Expansiounskoeffizienten anescht sinn, am Bindungspunkt bannent e grousse Stress, d'Konduktivitéit gëtt kleng.
Metalliséierungskorrosioun: D'Aluminiumverbindungslinn um Chip ass ufälleg fir Korrosioun duerch Waasserdamp an engem waarmen a fiichten Ëmfeld.Wéinst dem Präisaustausch an der einfacher Masseproduktioun si vill integréiert Kreesleef mat Harz encapsuléiert, awer Waasserdamp kann duerch d'Harz passéieren fir d'Aluminiumverbindungen z'erreechen, an d'Gëftstoffer, déi vu baussen agefouert ginn oder am Harz opgeléist ginn, handelen mat metalleschen Aluminium fir ze verursaachen. Korrosioun vun den Aluminiumverbindungen.
Den Delaminatiounseffekt verursaacht duerch Waasserdamp: Plastik IC ass den integréierte Circuit, dee mat Plastik an aner Harzpolymermaterialien kapsuléiert ass, zousätzlech zum Delaminatiounseffekt tëscht dem Plastikmaterial an dem Metallrahmen an dem Chip (allgemeng bekannt als "Popcorn" Effekt), well d'Harzmaterial d'Charakteristiken vun der Adsorptioun vu Waasserdamp huet, wäert den Delaminatiounseffekt, deen duerch d'Adsorption vu Waasserdamp verursaacht gëtt, och den Apparat versoen..De Feelermechanismus ass d'séier Expansioun vum Waasser am Plastiks Dichtungsmaterial bei héijen Temperaturen, sou datt d'Trennung tëscht dem Plastik a senger Befestigung vun anere Materialien, an a schlëmme Fäll de Plastik Dichtkierper platzt.
2.5 Kapazitiv resistive Komponenten
1) Widderstänn
Gemeinsam Net-Wicklungsresistenz kënnen a véier Typen ënnerdeelt ginn no de verschiddene Materialien, déi am Resistorkierper benotzt ginn, nämlech Legierungstyp, Filmtyp, décke Filmtyp a syntheteschen Typ.Fir fixe Widderstänn sinn d'Haaptfehlermodi Open Circuit, elektresch Parameterdrift, etc .;iwwerdeems fir potentiometers, sinn d'Haaptfehler Modi oppen Circuit, elektresch Parameter Drift, Kaméidi Erhéijung, etc.. D'Benotzung Ëmwelt wäert och zu resistor alternd Féierung, déi e groussen Impakt op d'Liewen vun elektronescher Equipement huet.
Oxidatioun: Oxidatioun vum Resistorkierper wäert de Resistenzwäert erhéijen an ass de wichtegste Faktor deen d'Widderstandsalterung verursaacht.Ausser Widderstandskierper aus Edelmetallen a Legierungen, ginn all aner Materialien duerch Sauerstoff an der Loft beschiedegt.Oxidatioun ass e laangfristeg Effekt, a wann den Afloss vun anere Faktoren lues a lues ofhëlt, gëtt d'Oxidatioun den Haaptfaktor ginn, an d'Ëmfeld mat héijer Temperatur an héijer Fiichtegkeet beschleunegen d'Oxidatioun vu Widderstänn.Fir Präzisiounsresistenz an héich Resistenzwäerter Resistenz, ass d'fundamental Moossnam fir d'Oxidatioun ze vermeiden Dichtungsschutz.Dichtungsmaterialien sollen anorganesch Materialien sinn, wéi Metall, Keramik, Glas, etc.. D'organesch Schutzschicht kann d'Feuchtigkeitpermeabilitéit an d'Loftpermeabilitéit net komplett verhënneren, a kann nëmmen eng Verzögerungsroll bei der Oxidatioun an der Adsorptioun spillen.
Alterung vum Binder: Fir organesch synthetesch Widderstänn ass d'Alterung vum organesche Binder den Haaptfaktor deen d'Stabilitéit vum Widderstand beaflosst.Den organesche Bindemëttel ass haaptsächlech e syntheteschen Harz, deen duerch Wärmebehandlung wärend dem Fabrikatiounsprozess vum Widderstand an en héich polymeriséierten thermosetesche Polymer ëmgewandelt gëtt.Den Haaptfaktor deen Polymeralterung verursaacht ass Oxidatioun.Déi fräi Radikale generéiert duerch Oxidatioun verursaachen d'Scharnéier vun de Polymermolekulare Bindungen, wat de Polymer weider heelt an et brécheg mécht, wat zu Elastizitéitsverloscht a mechanesche Schued resultéiert.D'Aushärtung vum Bindemëttel bewierkt datt de Widderstand am Volume schrumpft, de Kontaktdrock tëscht den konduktiven Partikel erhéicht an d'Kontaktresistenz erofgeet, wat zu enger Ofsenkung vun der Resistenz resultéiert, awer de mechanesche Schued am Bindemëttel erhéicht och d'Resistenz.Normalerweis geschitt d'Aushärtung vum Bindemittel virun, mechanesche Schued geschitt duerno, sou datt de Resistenzwäert vun organeschen syntheteschen Widderstänn de folgende Muster weist: e puer Réckgang am Ufank vun der Bühn, dann dréien d'Erhéijung, an et gëtt en Trend vun der Erhéijung.Zënter datt d'Alterung vu Polymere enk mat der Temperatur a Liicht verbonnen ass, beschleunegen synthetesch Widderstänn d'Alterung ënner héijer Temperaturëmfeld a staarker Liichtbeliichtung.
Alterung ënner elektrescher Belaaschtung: Eng Belaaschtung op e Widderstand opdroen wäert säin Alterungsprozess beschleunegen.Ënner DC Belaaschtung kann elektrolytesch Handlung dënnfilmresistors beschiedegen.Elektrolyse geschitt tëscht de Schlitze vun engem Schlitzresistor, a wann de Widderstandssubstrat e Keramik- oder Glasmaterial ass mat Alkalimetallionen, beweegen d'Ionen ënner der Handlung vum elektresche Feld tëscht de Schlitze.An engem fiichten Ëmfeld geet dëse Prozess méi hefteg weider.
2) Kondensatoren
D'Ausfallmodi vu Kondensatoren sinn Kuerzschluss, Open Circuit, Degradatioun vun elektresche Parameteren (inklusiv Ännerung vun der Kapazitéit, Erhéijung vum Verloschtwénkel Tangent an Ofsenkung vun der Isolatiounsresistenz), Flëssegkeetsleckage a Bleikorrosiounsbriechung.
Kuerzschluss: De fléien Bogen um Rand tëscht Pole bei héijer Temperatur an niddregen Loftdrock féiert zu Kuerzschluss vu Kondensatoren, zousätzlech wäert de mechanesche Stress wéi externe Schock och transient Kuerzschluss vun Dielektresch verursaachen.
Open Circuit: Oxidatioun vu Bleileitungen an Elektrodenkontakter verursaacht duerch fiicht a waarm Ëmfeld, wat zu nidderegen Niveau Inaccessibilitéit a Korrosiounsfraktur vun der Anode Bläifolie resultéiert.
Degradatioun vun elektresche Parameteren: Degradatioun vun elektresche Parameteren wéinst dem Afloss vu fiichten Ëmfeld.
2.6 Board-Niveau Circuit
Gedréckte Circuit Board besteet haaptsächlech aus isoléierende Substrat, Metallverdrahtung a Verbindung vu verschiddene Schichten vun Drot, Solderkomponenten "Pads".Seng Haaptroll ass en Träger fir elektronesch Komponenten ze bidden an d'Roll vun elektreschen a mechanesche Verbindungen ze spillen.
Den Echec Modus vun der gedréckter Circuit Verwaltungsrot ëmfaasst haaptsächlech aarmséileg soldering, oppen a kuerz Circuit, blistering, Burst Board Delaminatioun, Bord Uewerfläch corrosion oder discoloration, Board béien
Post Zäit: Nov-21-2022