IRFH5210TRPBF Fotoen
Uwendungen
1.Secondary Side Synchron Rectification
2.Inverters fir DC Motore
3.DC-DC Brick Uwendungen
4.Boost Converters
Eegeschaften
1.Low RDSon (≤ 14.9mΩ bei Vgs = 10V)
2.Niddereg thermesch Resistenz zu PCB (≤ 1,2 ° C / W)
3.100% Rg getest
4. Niddereg Profil (≤ 0,9 mm)
5.Industrie-Standard Pinout
6.Compatible mat bestehend Surface Mount Techniken
7.RoHS konform mat kee Blei, kee Bromid a kee Halogen
8.MSL1, Industriell Qualifikatioun
Virdeeler
1.Lower Conduktioun Verloschter
2.Enables besser thermesch dissipation
3.Erhéijung Zouverlässegkeet
4.Erhéijung Power Dicht
5.Multi-Verkeefer Kompatibilitéit
6.Easier Fabrikatioun
7.Ëmweltfrëndlech
8.Erhéijung Zouverlässegkeet
Herstellernummer: IRFH9310TRPBF
Fabrikant / BrandInternational Rectifier (Infineon Technologies)
Beschreiwung: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
BLEIF FREE STATUS / ROHS STATUS Bleif gratis / RoHS kompatibel
Stock Conditioun: Neit Original, 12000 Stéck Stock verfügbar.
Schëff Vun: Hong Kong
Versand Manéier: DHL / Fedex / TNT / UPS
Produkt Attribut Attribut Wäert Wielt Attribut
Spezifikatioune vun IRFH9310TRPBF
Produzenteuren / Brand International Rectifier (Infineon Technologies)
Stock Quantitéit 12000 Stéck Stock
Kategorie Diskret Semiconductor Produkter > Transistoren - FETs, MOSFETs - Single
Beschreiwung: MOSFET P-CH 30V 21A PQFN
Bleif gratis / RoHS kompatibel Bleif gratis / RoHS kompatibel
Breet - Bannen -55°C ~ 150°C (TJ)
Spannung / Stroum - Ausgang 1 PQFN (5x6)
Toleranz 5250pF @ 15V
Schwäif Typ P-Kanal
Schrëtt Wénkel MOSFET (Metal Oxid)
Schrumpft Temperatur Infineon Technologies
SFP / XFP Typ ± 20V
Remote Capability HEXFET®
Pitch - Kabel Uewerfläch Mount
Aner Nimm Bleiffräi / RoHS konform
Aner Nimm 1
Oszilléierer Typ 8-PowerVDFN
Zuel vun DAC d'30V
Minimum Liquid Spezifesch Gravity -
Mating Orientatioun 4,6 mOhm @ 21A, 10V
Fabrikant beschwéiert IRFH9310TRPBFDKR-ND
Längt - Faass Digi-Reel®
Lamp Faarf 4.5V, 10V
Héich Säit Volt - Max (Bootstrap) 21A (Ta), 40A (Tc)
Funktioun 58nC @ 4.5V
Coil Power Aktiv
Kanal Kapazitéit (CS(Off), CD(Off)) 3.1W (Ta)
Card Reader Typ 2.4V @ 100µA
Fonctiounen a Virdeeler
Fonctiounen doraus resultéierend Virdeeler
Niddereg RDSon (≤ 4,6mΩ) Niddereg Conduktioun Verloschter
Industrie-Standard PQFN Package Multi-Vendor Kompatibilitéit
RoHS-kompatibel Enthält kee Bläi, kee Bromid a kee Halogen ëmweltfrëndlech
Resultater an
Note
Form Quantitéit
IRFH9310TRPBF PQFN 5mm x 6mm Band a Reel 4000
Bestellbare Part Number Package Type Standard Pack
VDS-30 V
RDS(an) max
(@VGS = 10V) 4,6 mΩ
Qg (typesch) 110 nC
RG (typesch) 2,8 Ω
ID
(@TA = 25°C) -21 A
Absolut maximal Bewäertungen
Parameter Unitéiten
VDS Drain-ze-Quell Spannung
VGS Gate-ze-Quell Spannung
ID @ TA = 25 ° C Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V
ID @ TA = 70 ° C Kontinuéierlech Drain aktuell, VGS @ -10V
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Silicon Limited)
ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V (Package Limited)
IDM gepulste Drain aktuell
PD @TA = 25°C Power Dissipation
PD @ TA = 70 ° C Power Dissipation
Linearer Derating Faktor W/°C
TJ Betribssystemer Kräizung an
TSTG Stockage Temperatur Range
repetitive Bewäertung;Puls Breet limitéiert duerch max.Kräizung Temperatur.
Start TJ = 25°C, L = 1.1mH, RG = 50Ω, IAS = -17A.
Puls Breet ≤ 400µs;Duty Cycle ≤ 2%.
Wann et op 1 Zoll Quadratkofferbrett montéiert ass.
Rθ gëtt bei TJ vun ongeféier 90°C gemooss.
NËMMEN fir DESIGN AID, net ënnerleien zu Produktiounstest.
